IRF7309TRPBF
Cena
2,46 zł
Availability: 10 In Stock
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
IRF7319TRPBF
Indeks: IRF7319TRPBF
2,46 zł
Brutto
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Specyfikacja |
|
Producent |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Typ tranzystora |
N/P-MOSFET |
Technologia |
HEXFET® |
Prąd drenu (A) |
6.5/-4.9A |
Napięcie dren-źródło (V) |
30/-30V |
Rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) |
29/58mΩ |
Napięcie bramka-źródło (V) |
±20V |
Moc rozpraszana (W) |
2W |
Ładunek bramki |
22/23nC |
Rodzaj kanału |
Wzbogacany |
Polaryzacja |
Unipolarny |
Montaż |
SMD |
Obudowa |
SO8 |
Rodzaj opakowania |
Luz |
IRF7319TRPBF
Opis
- Prąd drenu (A)
- 6.5/-4.9A
- Napięcie dren-źródło (V)
- 30/-30V
- Rezystancja w stanie przewodzenia
- 29/58mΩ
- Napięcie bramka-źródło (V)
- ±20V
- Moc rozpraszana (W)
- 2W
- Obudowa
- SO8
- Montaż
- SMD
- Producent
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Rodzaj opakowania
- Luz
- Typ tranzystora
- N/P-MOSFET
- Ładunek bramki
- 22/23nC
- Rodzaj kanału
- Wzbogacany
- Technologia
- HEXFET®
- Polaryzacja
- Unipolarny
- Temperatura pracy
- -40...+150°C
- Czas wyłączania
- 26ns/34ns(N/P)
- Czas załączania
- 8.1ns/13ns(N/P)
- Czas zanikania
- 17ns/32ns(N/P)
- Czas narastania
- 8.9ns/13ns(N/P)
Tranzystor: N/P-MOSFET; unipolarny; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8