• 38.7nC(x)
• ±20V(x)
• 15ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

Typ tranzystora

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(1)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

64.7nC(2)

140nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

Czas załączania

9.2ns(1)

11ns(1)

14ns(3)

15ns(1)

Czas narastania

58ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

Czas zanikania

46ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(1)

Obudowa

TO220AB(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Price

-