zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

P-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

-14A

Napięcie dren-źródło (V)

-100V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

200mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

79W

Ładunek bramki

38.7nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF9530NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
-14A
Napięcie dren-źródło (V)
-100V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0.29Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
79W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
P-MOSFET
Ładunek bramki
38.7nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
45ns
Czas załączania
15ns
Czas zanikania
46ns
Czas narastania
58ns

Pliki do pobrania

IRF9530NPBF

IRF9530NPBF

Pliki do pobrania (118.23KB)

13 innych produktów w tej samej kategorii: