zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

P-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

-12A

Napięcie dren-źródło (V)

-55V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

175mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

45W

Ładunek bramki

12.7nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF9Z24NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
-12A
Napięcie dren-źródło (V)
-55V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0.175Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
45W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
P-MOSFET
Ładunek bramki
12.7nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
23ns
Czas załączania
13ns
Czas zanikania
37ns
Czas narastania
55ns

Pliki do pobrania

IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

Pliki do pobrania (114.21KB)

13 innych produktów w tej samej kategorii: