zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

P-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

-74A

Napięcie dren-źródło (V)

-55V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

20mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

200W

Ładunek bramki

120nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF4905PBF

Opis

Prąd drenu (A)
-74A
Napięcie dren-źródło (V)
-55V
Rezystancja w stanie przewodzenia
20mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
200W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
P-MOSFET
Ładunek bramki
120nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
61ns
Czas załączania
18ns
Czas zanikania
96ns
Czas narastania
99ns

Pliki do pobrania

IRF4905PBF

IRF4905PBF

Pliki do pobrania (662.63KB)

13 innych produktów w tej samej kategorii: