• SMD(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 27ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

125W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

63nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.55Ω(1)

29/58mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

400V(1)

Prąd drenu (A)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

14ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

19ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

27ns(1)

51ns(1)

64ns(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

50ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-