• 12ns(x)
• 24ns(x)
• 47ns(x)
• 53ns(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

170W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

29nC(1)

86.6nC(1)

86.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.8Ω(1)

12mΩ(1)

23mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(1)

60V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

57A(1)

81A(1)

Czas załączania

10ns(1)

12ns(3)

14ns(1)

Czas narastania

27ns(1)

58ns(1)

78ns(1)

Czas wyłączania

28ns(1)

45ns(1)

48ns(1)

Czas zanikania

24ns(1)

47ns(1)

53ns(1)

69ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-