• 13ns(x)
• 14ns(x)
• 48ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

SMD(1)

THT(2)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

200W(3)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

106.7nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

5.3mΩ(1)

13mΩ(1)

25mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(1)

75V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

57A(1)

82A(1)

133A(1)

Czas załączania

13ns(2)

14ns(1)

17ns(2)

Czas narastania

59ns(1)

64ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

49ns(1)

58ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

24ns(2)

33ns(2)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

41ns(1)

48ns(2)

50ns(1)

63ns(1)

70ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-