• 15ns(x)
• 38ns(x)
• 43ns(x)
• 51ns(x)
• 69ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

MOSFET z kanałem P(6)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(6)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

P-MOSFET (6)

Montaż

SMD(1)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

82W(1)

125W(1)

140W(1)

150W(1)

180W(1)

200W(3)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

44nC(2)

64.7nC(2)

72nC(1)

120nC(2)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.5Ω(2)

0.117Ω(2)

20mΩ(2)

42mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(2)

-200V(2)

100V(1)

150V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-23A(2)

-74A(2)

9.5A(1)

20A(1)

42A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(2)

15ns(2)

18ns(2)

Czas narastania

14ns(1)

43ns(2)

44ns(1)

55ns(1)

67ns(2)

99ns(2)

Czas wyłączania

27ns(1)

39ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

61ns(2)

71ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(6)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Price

-