• 33ns(x)
• 41ns(x)
• 53ns(x)
• 57ns(x)
• 64.5ns(x)
• 69ns(x)
• 70ns(x)
• 96ns(x)
• 110ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

ONSEMI(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(1)

THT(11)

Technologia

HEXFET®(10)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

68W(1)

150W(2)

170W(1)

200W(5)

214W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

28nC(1)

61nC(1)

86.6nC(1)

113.3nC(1)

120nC(2)

123nC(2)

133.3nC(1)

160nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.2Ω(1)

1.2Ω(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(1)

20mΩ(2)

42mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(3)

-100V(1)

40V(1)

55V(2)

60V(1)

150V(1)

200V(2)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-15A(1)

-19A(1)

-74A(2)

7.5A(1)

30A(2)

42A(1)

81A(1)

98A(1)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

12ns(2)

13ns(2)

14ns(3)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

43ns(2)

55ns(2)

60.5ns(1)

73ns(1)

78ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

190ns(2)

Czas wyłączania

30ns(1)

34ns(1)

41ns(2)

43ns(1)

46ns(1)

48ns(1)

61ns(2)

71ns(1)

81ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(6)

TO220F(1)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-