• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 24ns(x)
• 84ns(x)
• 260ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(4)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

74W(1)

88W(1)

125W(2)

517W(1)

520W(2)

Ładunek bramki

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

63nC(2)

151nC(1)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(7)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.8Ω(1)

0.16Ω(1)

0.55Ω(2)

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

4.8mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(1)

30/-30V(1)

75V(1)

100V(2)

150V(1)

400V(2)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

4/-3A(1)

6.3A(1)

10A(2)

171A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

10ns(1)

12ns(1)

14ns(2)

27ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

27ns(3)

34ns(1)

119ns(1)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(1)

28ns(1)

47ns(1)

50ns(2)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(3)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Tuba(1)

Price

-