• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 33ns(x)
• 43ns(x)
• 45ns(x)
• 51ns(x)
• 64.5ns(x)
• 70ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

ONSEMI(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(10)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

48W(1)

79W(1)

140W(1)

150W(3)

200W(3)

214W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

28nC(1)

64.7nC(2)

72nC(1)

113.3nC(1)

120nC(2)

123nC(2)

160nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.117Ω(2)

1.2Ω(1)

4mΩ(1)

8mΩ(2)

20mΩ(2)

50/100mΩ(1)

75mΩ(2)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(2)

30/-30V(1)

40V(1)

55V(1)

100V(1)

200V(2)

300V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-23A(2)

-74A(2)

4/-3A(1)

7.5A(1)

20A(1)

30A(2)

70A(1)

98A(1)

162A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

11ns(1)

14ns(3)

15ns(2)

16.5ns(1)

17ns(1)

18ns(2)

24ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

43ns(2)

44ns(1)

60.5ns(1)

67ns(2)

99ns(2)

100ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

41ns(2)

43ns(1)

46ns(1)

51ns(2)

53ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

81ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO220F(1)

TO247AC(4)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-