• 0.175Ω(x)
• 37ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

Typ tranzystora

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(1)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

45W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.29Ω(1)

0.175Ω(1)

1.5Ω(1)

8mΩ(1)

13.4mΩ(1)

20mΩ(2)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

Czas załączania

13ns(1)

Czas narastania

55ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

Czas zanikania

37ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(1)

Obudowa

TO220AB(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Price

-