• 15ns(x)
• 46ns(x)
• 51ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

P-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

79W(2)

140W(1)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

64.7nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

0.117Ω(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(3)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

-23A(2)

Czas załączania

9.4ns(1)

10ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(2)

15ns(3)

22ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

58ns(1)

67ns(2)

Czas wyłączania

45ns(1)

51ns(2)

Czas zanikania

46ns(1)

50ns(1)

51ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-