• 1.4W(x)
• 48W(x)
• 110W(x)
• 150W(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(7)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(7)

ONSEMI(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(7)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(3)

2W(1)

45W(1)

48W(1)

50W(1)

68W(1)

74W(3)

79W(3)

82W(1)

88W(1)

92W(1)

110W(2)

125W(5)

130W(1)

140W(2)

150W(6)

160W(3)

170W(2)

180W(1)

190W(3)

200W(11)

214W(1)

280W(3)

300W(2)

310W(1)

330W(1)

370W(1)

517W(2)

520W(3)

Ładunek bramki

25nC(1)

28nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

66nC(1)

70nC(1)

72nC(1)

113.3nC(1)

123nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.15Ω(2)

0.18Ω(1)

0.29Ω(1)

1.2Ω(1)

8mΩ(1)

50/100mΩ(1)

60mΩ(1)

75mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-150V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

100V(1)

200V(4)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

-31A(1)

4/-3A(1)

7.5A(1)

18A(2)

20A(1)

30A(1)

98A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

10ns(2)

11ns(1)

14ns(5)

16.5ns(1)

Czas narastania

19ns(2)

21ns/17ns(N/P)(1)

36ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

51ns(1)

60.5ns(1)

66ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(2)

39ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

45ns(1)

53ns(2)

81ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

33ns(1)

36ns(1)

37ns(1)

43ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

70ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO220F(1)

TO247AC(2)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Tuba(1)

Price

-