• 125W(x)
• 140W(x)
• ±20V(x)
• 39ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

110W(1)

125W(1)

140W(1)

180W(1)

Ładunek bramki

44nC(1)

47.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

33A(1)

Czas załączania

11ns(1)

14ns(1)

Czas narastania

35ns(1)

43ns(1)

Czas wyłączania

39ns(2)

45ns(1)

50ns(2)

51ns(1)

Czas zanikania

35ns(1)

38ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-