• 200W(x)
• 47ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

200W(2)

Ładunek bramki

86.7nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

5.3mΩ(1)

23mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

57A(1)

133A(1)

Czas załączania

12ns(1)

13ns(1)

Czas narastania

58ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

47ns(1)

48ns(2)

50ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-