• 200W(x)
• 33ns(x)
• 48ns(x)
• 69ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

SMD(1)

THT(3)

Technologia

HEXFET®(4)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

200W(4)

214W(1)

300W(2)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

106.7nC(1)

133.3nC(1)

160nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4mΩ(1)

13mΩ(1)

25mΩ(1)

42mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

40V(1)

75V(1)

100V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

42A(1)

57A(1)

82A(1)

162A(1)

Czas załączania

12ns(1)

13ns(1)

14ns(1)

17ns(1)

Czas narastania

55ns(1)

59ns(1)

64ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

46ns(1)

49ns(1)

58ns(1)

71ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

47ns(1)

48ns(2)

50ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-