• SMD(x)
• 25nC(x)
• 106.7nC(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

THT(1)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

44.7nC(1)

63nC(1)

70nC(1)

106.7nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

13mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

75V(1)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

82A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

13ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

64ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

49ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

48ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-