• SMD(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 36ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

130W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

70nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

11A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

14ns(1)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

51ns(1)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

45ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(1)

36ns(1)

48ns(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-