• SMD(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 8.6ns(x)
• 24ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(3)

THT(3)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

125W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

41nC(1)

63nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.55Ω(1)

13.4mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

80V(1)

400V(1)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

6.3A(1)

10A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

14ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

27ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

50ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(1)

36ns(1)

48ns(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(2)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-