• THT(x)
• 8.6ns(x)
• 16ns(x)
• 27ns(x)
• 34ns(x)
• 36ns(x)
• 43ns(x)
• 47ns(x)
• 59ns(x)
• 67ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(11)

MOSFET z kanałem P(6)

Tranzystory z kanałem N THT(11)

Tranzystory z kanałem P THT(6)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(9)

Typ tranzystora

N-MOSFET (11)

P-MOSFET (6)

Montaż

SMD(1)

THT(17)

Technologia

HEXFET®(8)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

50W(1)

74W(2)

79W(1)

88W(1)

110W(1)

125W(2)

140W(1)

150W(1)

180W(1)

190W(1)

200W(1)

214W(1)

280W(1)

370W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

24nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

38nC(1)

44nC(2)

63nC(1)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

123nC(2)

150nC(2)

180nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(17)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.4Ω(1)

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.16Ω(1)

0.27Ω(1)

0.29Ω(1)

0.55Ω(1)

0.117Ω(2)

1.5Ω(1)

3.7mΩ(1)

3Ω(1)

8mΩ(1)

25mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

-150V(1)

-200V(3)

100V(3)

200V(2)

300V(1)

400V(1)

500V(4)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-13A(1)

-23A(2)

1.6A(1)

2.9A(1)

8.7A(1)

10A(2)

13A(1)

30A(2)

57A(1)

70A(1)

180A(1)

Czas załączania

8.2ns(1)

8ns(1)

10ns(1)

12ns(1)

14ns(7)

15ns(2)

17ns(1)

18ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(1)

20ns(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(2)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(2)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(1)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

28ns(1)

33ns(1)

39ns(2)

41ns(2)

42ns(1)

50ns(1)

51ns(2)

53ns(1)

58ns(1)

62ns(1)

78ns(1)

92ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

16ns(2)

24ns(3)

33ns(2)

37ns(1)

38ns(2)

44ns(1)

45ns(1)

48ns(1)

51ns(2)

58ns(1)

88ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(17)

Obudowa

TO220AB(8)

TO247AC(8)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(16)

Tuba(1)

Price

-