• THT(x)
• 0.18Ω(x)
• 0.117Ω(x)
• 3.7mΩ(x)
• 8mΩ(x)
• 42mΩ(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

125W(1)

140W(1)

150W(2)

200W(2)

370W(1)

517W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

64.7nC(2)

70nC(2)

113.3nC(1)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

161nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.2Ω(2)

0.3Ω(1)

0.4Ω(1)

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.14Ω(1)

0.15Ω(1)

0.16Ω(1)

0.18Ω(2)

0.27Ω(1)

0.29Ω(2)

0.55Ω(1)

0.75Ω(1)

0.85Ω(1)

0.117Ω(2)

0.175Ω(1)

1.2Ω(1)

1.5Ω(2)

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

3Ω(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

7.8mΩ(1)

8mΩ(4)

12mΩ(2)

13mΩ(1)

19.7mΩ(1)

20mΩ(1)

23mΩ(1)

25mΩ(1)

26.5mΩ(1)

36mΩ(3)

40mΩ(2)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

60mΩ(2)

75mΩ(2)

77mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

55V(2)

100V(1)

150V(1)

200V(3)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-23A(2)

11A(1)

42A(1)

70A(1)

80A(1)

98A(1)

130A(1)

180A(1)

Czas załączania

12ns(1)

14ns(3)

15ns(2)

24ns(1)

25ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

51ns(2)

55ns(1)

67ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

Czas wyłączania

43ns(1)

45ns(2)

51ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

71ns(1)

78ns(1)

Czas zanikania

36ns(2)

45ns(1)

51ns(2)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

88ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

TO220AB(4)

TO247AC(6)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-