• ±20V(x)
• 15ns(x)
• 22ns(x)
• 27ns(x)
• 59ns(x)
• 78ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(5)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(1)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(3)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

74W(2)

79W(1)

125W(2)

170W(1)

200W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

24.7nC(1)

29nC(1)

38nC(1)

63nC(2)

66.7nC(1)

86.6nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.8Ω(1)

0.27Ω(1)

0.55Ω(2)

1.5Ω(1)

12mΩ(1)

25mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(1)

60V(1)

100V(2)

400V(2)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

2.9A(1)

6.3A(1)

10A(1)

13A(1)

17A(1)

57A(1)

81A(1)

Czas załączania

9.2ns(1)

10ns(1)

12ns(2)

14ns(3)

18ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

28ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

48ns(1)

50ns(2)

58ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

24ns(3)

25ns(1)

48ns(1)

53ns(1)

58ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(5)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(7)

Tuba(1)

Price

-