• ±20V(x)
• 14ns(x)
• 140ns(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

330W(1)

Ładunek bramki

38nC(1)

160nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.5Ω(1)

7.8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

2.9A(1)

130A(1)

Czas załączania

10ns(1)

11ns(1)

Czas narastania

15ns(1)

150ns(1)

Czas wyłączania

38ns(1)

150ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

24ns(3)

25ns(1)

33ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

37ns(2)

38ns(1)

40ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

50ns(1)

51ns(1)

53ns(1)

63ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(2)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-