• SMD(x)
• ±20V(x)
• 14ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

35nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

20mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

-74A(1)

5.1A(1)

Czas załączania

9ns(1)

18ns(1)

Czas narastania

10ns(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

29ns(1)

61ns(1)

Czas zanikania

5.5ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(1)

36ns(1)

48ns(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-