• ±20V(x)
• 11A(x)
• 36A(x)
• Wzbogacany(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

92W(1)

125W(1)

Ładunek bramki

42nC(1)

70nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(1)

26.5mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-12A(1)

-13A(1)

-14A(1)

-19A(1)

-23A(1)

-31A(1)

-40A(1)

-74A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

9.5A(1)

10A(2)

11A(1)

17A(1)

18A(1)

20A(1)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(1)

130A(1)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

14ns(1)

Czas narastania

51ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

Czas zanikania

36ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-