• 130A(x)
• 74ns(x)
• 140ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

330W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

160nC(1)

161nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

7.8mΩ(1)

8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

130A(2)

Czas załączania

11ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

105ns(1)

150ns(1)

Czas wyłączania

64ns(1)

150ns(1)

Czas zanikania

74ns(1)

140ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-