• 6.5/-4.9A(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

Tranzystory wielokanałowe(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

Typ tranzystora

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(1)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

29/58mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

Prąd drenu (A)

6.5/-4.9A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

14ns(1)

78ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(1)

Obudowa

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Price

-