• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• P-MOSFET (x)
• 58ns(x)
• 86ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

P-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

-40A(1)

Czas załączania

15ns(1)

17ns(1)

Czas narastania

36ns(1)

55ns(2)

58ns(1)

66ns(1)

67ns(2)

86ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

45ns(1)

79ns(1)

Czas zanikania

46ns(1)

81ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-