• HEXFET®(x)
• 17ns(x)
• 19ns(x)
• TO247AC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

300W(2)

310W(1)

Ładunek bramki

180nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

40mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

30A(2)

170A(1)

Czas załączania

11ns(2)

14ns(3)

15ns(1)

17ns(2)

19ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

27ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

60ns(2)

140ns(1)

Czas wyłączania

55ns(2)

97ns(1)

Czas zanikania

48ns(2)

100ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-