• SMD(x)
• HEXFET®(x)
• 4.0ns(x)
• 5.5ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

SMD(2)

THT(3)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

150W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

44.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.15Ω(1)

12mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

11A(1)

18A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

10ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

19ns(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

23ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

48ns(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-