• N-MOSFET (x)
• 70nC(x)
• 110nC(x)
• 161nC(x)
• TO247AC(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

THT(4)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

160W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

70nC(1)

110nC(2)

113.3nC(1)

123nC(1)

140nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

161nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(1)

8mΩ(1)

36mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(2)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

30A(2)

130A(1)

Czas załączania

11ns(2)

14ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

51ns(1)

56ns(2)

105ns(1)

Czas wyłączania

45ns(3)

64ns(1)

Czas zanikania

36ns(1)

40ns(2)

74ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(1)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-