• 2.1V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

Tranzystory IGBT(3)

Producent

TOSHIBA(3)

Typ tranzystora

IGBT(3)

Montaż

THT(3)

Moc rozpraszana (W)

75W(2)

130W(1)

Napięcie nasycenia kolektor-emiter

1.5V(1)

1.7V(6)

1.9V(1)

1.75V(1)

1.85V(1)

2.05V(1)

2.1V(3)

2.4V(1)

2.5V(1)

2.8V(1)

3.7V(1)

Napięcie Kolektor-Emiter VCEO

600V(3)

Napięcie bramka-emiter

±20V(3)

Prąd kolektora

20A(1)

30A(2)

Prąd kolektora w impulsie

40A(1)

100A(2)

Czas załączania

300ns(2)

400ns(1)

Czas wyłączania

400ns(2)

500ns(1)

Prąd upływowy bramka–emiter

500nA(3)

Temperatura pracy

-55...+150°C(3)

Obudowa

TO3P(N)(1)

TO3P(N)IS(2)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-