zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    GT30J122 | Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 75W; TO-3P(N)IS
GT30J122 | Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 75W; TO-3P(N)IS

GT30J122

Indeks: GT30J122

17,22 zł
Brutto

Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 75W; TO-3P(N)IS; pojedynczy tranzystor

Ilość

Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 75W; TO-3P(N)IS; pojedynczy tranzystor


Zastosowanie:

Power factor correction

GT30J122

Opis

Moc rozpraszana (W)
75W
Obudowa
TO3P(N)IS
Montaż
THT
Producent
TOSHIBA
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
IGBT
Temperatura pracy
-55...+150°C
Napięcie Kolektor-Emiter VCEO
600V
Prąd kolektora
30A
Napięcie bramka-emiter
±20V
Prąd kolektora w impulsie
100A
Struktura półprzewodnika
pojedynczy tranzystor
Właściwości elementów półprzewodnikowych
zintegrowana dioda anti-parallel
Czas wyłączania
400ns
Czas załączania
300ns
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.1V
Prąd upływowy bramka–emiter
500nA

Pliki do pobrania

GT30J122

GT30J122

Pliki do pobrania (178.52KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii:

GT30G124 | Tranzystor: IGBT; 450V; 200A(PULSE); 25W; TO-220SIS
TOSHIBA

GT30G124

Cena 17,22 zł
Availability: 10 In Stock

Tranzystor: IGBT; 450V; 200A(PULSE); 25W; TO-220SIS; pojedynczy tranzystor