zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Tranzystor: IGBT; 1,5kV; 40A; 200W; TO-3P(LH); pojedynczy tranzystor


Zastosowanie:

Parallel Resonance Inverter Switching Applications

GT40T301

Opis

Moc rozpraszana (W)
200W
Obudowa
TO3P(LH)
Montaż
THT
Producent
TOSHIBA
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
IGBT
Temperatura pracy
-55...+150°C
Napięcie Kolektor-Emiter VCEO
1.5kV
Prąd kolektora
40A
Napięcie bramka-emiter
±25V
Prąd kolektora w impulsie
80A
Struktura półprzewodnika
pojedynczy tranzystor
Właściwości elementów półprzewodnikowych
zintegrowana dioda anti-parallel
Czas wyłączania
600ns
Czas załączania
450ns
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
3.7V
Prąd upływowy bramka–emiter
500nA

Pliki do pobrania

GT40T301

GT40T301

Pliki do pobrania (295.01KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: