zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    GT40Q321 | Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 42A; 170W; TO-3P(N)
GT40Q321 | Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 42A; 170W; TO-3P(N)

GT40Q321

Indeks: GT40Q321

17,22 zł
Brutto

Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 42A; 170W; TO-3P(N); pojedynczy tranzystor

Ilość

Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 42A; 170W; TO-3P(N); pojedynczy tranzystor


Zastosowanie:

Voltage Resonance Inverter Switching Application

GT40Q321

Opis

Moc rozpraszana (W)
170W
Obudowa
TO3P(N)
Montaż
THT
Producent
TOSHIBA
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
IGBT
Temperatura pracy
-55...+150°C
Napięcie Kolektor-Emiter VCEO
1.2kV
Prąd kolektora
42A
Napięcie bramka-emiter
±25V
Prąd kolektora w impulsie
80A
Struktura półprzewodnika
pojedynczy tranzystor
Właściwości elementów półprzewodnikowych
zintegrowana dioda anti-parallel
Czas wyłączania
570ns
Czas załączania
250ns
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.8V
Prąd upływowy bramka–emiter
500nA

Pliki do pobrania

GT40Q321

GT40Q321

Pliki do pobrania (136.77KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii:

GT30G124 | Tranzystor: IGBT; 450V; 200A(PULSE); 25W; TO-220SIS
TOSHIBA

GT30G124

Cena 17,22 zł
Availability: 10 In Stock

Tranzystor: IGBT; 450V; 200A(PULSE); 25W; TO-220SIS; pojedynczy tranzystor