• IGBT(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

Tranzystory IGBT(13)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

TOSHIBA(4)

Typ tranzystora

IGBT(13)

Montaż

THT(13)

Technologia

TrenchStop®(4)

TrenchStop® 2(3)

TrenchStop® 3(2)

Seria producenta

H3(2)

T2(3)

Moc rozpraszana (W)

30W(1)

75W(2)

110W(1)

130W(1)

190W(1)

235W(1)

270W(1)

333W(2)

349W(1)

480W(1)

483W(1)

Ładunek bramki

85nC(1)

93nC(1)

120nC(1)

155nC(1)

185nC(1)

192nC(1)

203nC(1)

310nC(1)

315nC(1)

Napięcie nasycenia kolektor-emiter

1.5V(1)

1.7V(5)

1.9V(1)

1.75V(1)

1.85V(1)

2.05V(1)

2.1V(3)

Napięcie Kolektor-Emiter VCEO

1.2kV(7)

600V(6)

Napięcie bramka-emiter

15V(2)

±20V(13)

±25V(3)

Prąd kolektora

15A(1)

20A(1)

30A(4)

50A(2)

75A(2)

80A(2)

100A(1)

Prąd kolektora w impulsie

30A(1)

40A(1)

45A(1)

60A(1)

75A(1)

100A(3)

105A(1)

150A(1)

160A(2)

200A(1)

Czas załączania

23ns(1)

26ns(1)

27ns(1)

29ns(1)

32ns(1)

33ns(1)

48ns(1)

50ns(2)

170ns(1)

300ns(2)

400ns(1)

Czas wyłączania

235ns(1)

265ns(1)

299ns(1)

314ns(1)

340ns(1)

362ns(1)

366ns(1)

400ns(2)

480ns(1)

500ns(1)

520ns(1)

560ns(1)

Energia załączenia

1.2mJ(1)

1.3mJ(1)

1.25mJ(1)

1.45mJ(1)

1.55mJ(1)

2.0mJ(1)

3.2mJ(1)

3.3mJ(1)

4.4mJ(1)

Energia wyłączenia

0.8mJ(1)

0.91mJ(1)

1.4mJ(2)

1.35mJ(1)

2.05mJ(1)

2.2mJ(1)

2.6mJ(1)

3.2mJ(1)

Prąd upływowy bramka–emiter

100nA(3)

200nA(2)

500nA(4)

600nA(4)

Temperatura pracy

-40...+150°C(2)

-40...+175°C(7)

-55...+150°C(4)

Obudowa

PG-TO247-3(9)

TO3P(N)(1)

TO3P(N)IS(2)

TO220NIS(1)

Rodzaj opakowania

Luz(13)

Price

-