• 12ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

170W(1)

200W(2)

Ładunek bramki

86.6nC(1)

86.7nC(1)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

12mΩ(1)

23mΩ(1)

42mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

60V(1)

100V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

42A(1)

57A(1)

81A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.2ns(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

10ns(4)

11ns(7)

12ns(3)

13ns(3)

14ns(7)

15ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(4)

18ns(2)

19ns(1)

22ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

27ns(1)

33ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

55ns(1)

58ns(1)

78ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

48ns(1)

71ns(1)

Czas zanikania

47ns(1)

53ns(1)

69ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-