• 25ns(x)
• 43ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

370W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

150nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.46mΩ(1)

3.7mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

180A(1)

350A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.2ns(1)

8ns(1)

9.2ns(1)

10ns(4)

11ns(7)

12ns(3)

13ns(3)

14ns(7)

15ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(4)

18ns(2)

19ns(1)

22ns(1)

24ns(1)

25ns(1)

27ns(1)

33ns(1)

41ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

67ns(1)

220ns(1)

Czas wyłączania

78ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

88ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-