• 57A(x)
• 82A(x)
• 48ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(1)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

200W(2)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

106.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

13mΩ(1)

25mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

30A(2)

57A(1)

82A(1)

Czas załączania

13ns(1)

14ns(1)

Czas narastania

59ns(1)

64ns(1)

Czas wyłączania

49ns(1)

58ns(1)

Czas zanikania

45ns(1)

47ns(1)

48ns(2)

50ns(1)

67ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-