• 2.9A(x)
• 171A(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

74W(2)

517W(1)

Ładunek bramki

38nC(2)

151nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.5Ω(2)

4.8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

150V(1)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

5.1A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(2)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

65A(1)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

8.2ns(1)

10ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

15ns(1)

16ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

38ns(1)

42ns(1)

47ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

16ns(1)

84ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-