• 290A(x)
• 350A(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

520W(2)

Ładunek bramki

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

5.1A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(1)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-