• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 66.7nC(x)
• 86.7nC(x)
• 133.3nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

200W(3)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

24.7nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

66.7nC(1)

70nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

123nC(2)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

23mΩ(1)

25mΩ(1)

42mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(2)

150V(1)

Prąd drenu (A)

42A(1)

57A(2)

Czas załączania

12ns(2)

14ns(1)

Czas narastania

55ns(1)

58ns(1)

59ns(1)

Czas wyłączania

45ns(1)

58ns(1)

71ns(1)

Czas zanikania

47ns(1)

48ns(1)

69ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-