• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 70nC(x)
• 73.3nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

160W(1)

190W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

24.7nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

66.7nC(1)

70nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

123nC(2)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

19.7mΩ(1)

36mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

42A(1)

65A(1)

Czas załączania

11ns(1)

33ns(1)

Czas narastania

20ns(1)

56ns(1)

Czas wyłączania

21ns(1)

45ns(1)

Czas zanikania

31ns(1)

40ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Tuba(1)

Price

-