• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 39ns(x)
• 97ns(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

140W(1)

310W(1)

Ładunek bramki

47.3nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

33A(1)

170A(1)

Czas załączania

11ns(1)

19ns(1)

Czas narastania

35ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

23ns(2)

27ns(1)

35ns(1)

39ns(1)

41ns(2)

43ns(1)

45ns(4)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

78ns(1)

97ns(1)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

35ns(1)

100ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-