• 0.4Ω(x)
• 36mΩ(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

Montaż

THT(4)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

160W(3)

190W(1)

Ładunek bramki

73.3nC(1)

110nC(2)

150nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.3Ω(1)

0.4Ω(1)

0.14Ω(1)

0.15Ω(2)

0.16Ω(1)

0.18Ω(2)

0.27Ω(1)

0.75Ω(1)

0.85Ω(1)

1.5Ω(2)

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

3Ω(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

4mΩ(1)

5.3mΩ(1)

7.8mΩ(1)

8mΩ(4)

12mΩ(2)

13mΩ(2)

23mΩ(1)

25mΩ(1)

26.5mΩ(1)

36mΩ(3)

40mΩ(2)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

75mΩ(2)

77mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(3)

500V(1)

Prąd drenu (A)

8.7A(1)

30A(2)

42A(1)

Czas załączania

11ns(3)

17ns(1)

Czas narastania

47ns(1)

56ns(3)

Czas wyłączania

45ns(3)

92ns(1)

Czas zanikania

40ns(3)

44ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-