• 120nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(1)

THT(2)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

200W(3)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

23.3nC(1)

29nC(1)

38.7nC(1)

42nC(1)

44nC(2)

61nC(1)

64.7nC(2)

66nC(1)

120nC(3)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

20mΩ(2)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

Prąd drenu (A)

-40A(1)

-74A(2)

Czas załączania

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

86ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

61ns(2)

79ns(1)

Czas zanikania

81ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-