• 22/23nC(x)
• 24.7nC(x)
• 66.7nC(x)
• 113.3nC(x)
• 120nC(x)
• 170nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

79W(1)

150W(1)

200W(5)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(2)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

160nC(2)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

20mΩ(2)

25mΩ(1)

29/58mΩ(1)

60mΩ(1)

90mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(1)

30/-30V(1)

55V(2)

100V(2)

Prąd drenu (A)

-40A(1)

-74A(2)

6.5/-4.9A(1)

17A(1)

57A(1)

98A(1)

133A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9.2ns(1)

13ns(1)

14ns(2)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

22ns(1)

59ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

35ns(1)

43ns(1)

58ns(1)

61ns(2)

79ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

25ns(1)

48ns(1)

70ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-