• 23.3nC(x)
• 25nC(x)
• 41nC(x)
• 86.6nC(x)
• 180nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

68W(1)

82W(1)

170W(2)

310W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

28nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(3)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(4)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.3Ω(1)

4.5mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(2)

13.4mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30/-30V(1)

60V(2)

75V(1)

80V(1)

200V(1)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

4/-3A(1)

9.5A(1)

10A(1)

70A(1)

81A(2)

170A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

7.9ns(1)

9.4ns(1)

12ns(1)

13ns(1)

16ns(1)

19ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

55ns(1)

78ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

27ns(1)

30ns(1)

48ns(1)

62ns(1)

68ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

15ns(1)

41ns(1)

45ns(1)

53ns(1)

100ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(4)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-